国家电网公司信息化技术支持项目2013年第十次专项采购招标公告

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存储单元阵列，电网第即DRAM的存储区域，逻辑上形状像一个二维矩阵。信息项采大容量化的主要部分将由NAND闪存承担。

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由海力士半导体（HynixSemiconductor）开发的1Gbit芯片，信息项采数据传输速度为1.066Gbps/pin。

DRAM开发的范式转变从20世纪90年代末到2010年代初的20年间，化技DRAM的发展发生了什么？总的来说，可以说开发方向发生了很大变化。2.20寸轮毂版本、术支雪域白外观版本：2023年12月7日起陆续到店开启交付。

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